NDT02N60ZT3G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Resumo do Produto

Modelo do Produto:	NDT02N60ZT3G
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição do Produto	MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
Fichas de dados:
Estado de RoHS	Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição de estoque	4228 pcs stock
Navio De	Hong Kong
Caminho de embarque	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4228 pcs

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Especificações do NDT02N60ZT3G

Modelo do Produto	NDT02N60ZT3G	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição	MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223	Status sem chumbo / Status RoHS	Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível	4228 pcs	Ficha de dados
VGS (th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Embalagem do dispositivo fornecedor	SOT-223 (TO-261)
Série	-	RDS ON (Max) @ Id, VGS	8 Ohm @ 700mA, 10V
Dissipação de energia (Max)	2W (Tc)	Embalagem	Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete	TO-261-4, TO-261AA	Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount	Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	170pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs	7.4nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica FET	-	Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)	10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)	600V	Descrição detalhada	N-Channel 600V 300mA (Tc) 2W (Tc) Surface Mount SOT-223 (TO-261)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C	300mA (Tc)

Tipo de transporte
Depois das vendas
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