NGTB30N120FL2WG

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Resumo do Produto

Modelo do Produto:	NGTB30N120FL2WG
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição do Produto	IGBT 1200V 60A 452W TO247
Fichas de dados:	NGTB30N120FL2WG.pdf
Estado de RoHS	Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição de estoque	17732 pcs stock
Navio De	Hong Kong
Caminho de embarque	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificações do NGTB30N120FL2WG

Modelo do Produto	NGTB30N120FL2WG	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição	IGBT 1200V 60A 452W TO247	Status sem chumbo / Status RoHS	Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível	17732 pcs	Ficha de dados	NGTB30N120FL2WG.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)	1200V	Vce (on) (Max) @ VGE, Ic	2.3V @ 15V, 30A
Condição de teste	600V, 30A, 10 Ohm, 15V	Td (ligar / desligar) @ 25 ° C	98ns/210ns
Alternando Energia	2.6mJ (on), 700µJ (off)	Embalagem do dispositivo fornecedor	TO-247
Série	-	Inversa de tempo de recuperação (trr)	240ns
Power - Max	452W	Embalagem	Tube
Caixa / Gabinete	TO-247-3	Outros nomes	NGTB30N120FL2WGOS
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montagem	Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	1 (Unlimited)	Tempo de entrega padrão do fabricante	14 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Tipo de entrada	Standard
Tipo de IGBT	Trench Field Stop	portão de carga	220nC
Descrição detalhada	IGBT Trench Field Stop 1200V 60A 452W Through Hole TO-247	Atual - Collector Pulsada (ICM)	120A
Atual - Collector (Ic) (Max)	60A

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