IXFK120N65X2

IXYS Corporation

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Resumo do Produto

Modelo do Produto:	IXFK120N65X2
Fabricante / Marca:	IXYS Corporation
Descrição do Produto	MOSFET N-CH 650V 120A TO-264
Fichas de dados:	IXFK120N65X2.pdf
Estado de RoHS	Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição de estoque	5204 pcs stock
Navio De	Hong Kong
Caminho de embarque	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificações do IXFK120N65X2

Modelo do Produto	IXFK120N65X2	Fabricante	IXYS Corporation
Descrição	MOSFET N-CH 650V 120A TO-264	Status sem chumbo / Status RoHS	Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível	5204 pcs	Ficha de dados	IXFK120N65X2.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5.5V @ 8mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Embalagem do dispositivo fornecedor	TO-264
Série	HiPerFET™	RDS ON (Max) @ Id, VGS	24 mOhm @ 60A, 10V
Dissipação de energia (Max)	1250W (Tc)	Embalagem	Tube
Caixa / Gabinete	TO-264-3, TO-264AA	Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole	Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante	26 Weeks	Status sem chumbo / status de RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	15500pF @ 25V	Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs	225nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica FET	-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)	10V	Escorra a tensão de fonte (Vdss)	650V
Descrição detalhada	N-Channel 650V 120A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole TO-264	Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C	120A (Tc)

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