1SR139-600T-32

LAPIS Semiconductor

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Resumo do Produto

Modelo do Produto:	1SR139-600T-32
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrição do Produto	DIODE GEN PURP 600V 1A MSR
Fichas de dados:	1SR139-600T-32.pdf
Estado de RoHS	Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição de estoque	5894 pcs stock
Navio De	Hong Kong
Caminho de embarque	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5894 pcs

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Especificações do 1SR139-600T-32

Modelo do Produto	1SR139-600T-32	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descrição	DIODE GEN PURP 600V 1A MSR	Status sem chumbo / Status RoHS	Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível	5894 pcs	Ficha de dados	1SR139-600T-32.pdf
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se	1.1V @ 1A	Tensão - DC reversa (Vr) (Max)	600V
Embalagem do dispositivo fornecedor	MSR	Velocidade	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Série	-	Embalagem	Tape & Box (TB)
Caixa / Gabinete	DO-41 Mini, Axial	Temperatura de Operação - Junção	150°C (Max)
Tipo de montagem	Through Hole	Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Tipo Diode	Standard
Descrição detalhada	Diode Standard 600V 1A Through Hole MSR	Atual - dispersão reversa @ Vr	10µA @ 600V
Atual - rectificada média (Io)	1A	Capacitância @ Vr, F	-

Tipo de transporte
Depois das vendas
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