APTGLQ25H120T2G

Microsemi

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Resumo do Produto

Modelo do Produto:	APTGLQ25H120T2G
Fabricante / Marca:	Microsemi
Descrição do Produto	POWER MODULE - IGBT
Fichas de dados:	APTGLQ25H120T2G.pdf
Estado de RoHS	Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição de estoque	2805 pcs stock
Navio De	Hong Kong
Caminho de embarque	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2805 pcs

Preço de referência (em dólares americanos)

100 pcs: $14.089

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Especificações do APTGLQ25H120T2G

Modelo do Produto	APTGLQ25H120T2G	Fabricante	Microsemi
Descrição	POWER MODULE - IGBT	Status sem chumbo / Status RoHS	Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível	2805 pcs	Ficha de dados	APTGLQ25H120T2G.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)	1200V	Vce (on) (Max) @ VGE, Ic	2.42V @ 15V, 25A
Embalagem do dispositivo fornecedor	SP2	Série	-
Power - Max	165W	Caixa / Gabinete	Module
Temperatura de operação	-40°C ~ 150°C (TJ)	NTC Thermistor	Yes
Tipo de montagem	Chassis Mount	Status sem chumbo / status de RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de entrada (Cies) @ Vce	1.43nF @ 25V	Entrada	Standard
Tipo de IGBT	Trench Field Stop	Descrição detalhada	IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge 1200V 50A 165W Chassis Mount SP2
Atual - Collector Cutoff (Max)	50µA	Atual - Collector (Ic) (Max)	50A
Configuração	Full Bridge

Tipo de transporte
Depois das vendas
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