RN1109ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Resumo do Produto

Modelo do Produto:	RN1109ACT(TPL3)
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição do Produto	TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
Fichas de dados:	RN1109ACT(TPL3).pdf
Estado de RoHS	Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição de estoque	4150 pcs stock
Navio De	Hong Kong
Caminho de embarque	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4150 pcs

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Especificações do RN1109ACT(TPL3)

Modelo do Produto	RN1109ACT(TPL3)	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição	TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3	Status sem chumbo / Status RoHS	Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível	4150 pcs	Ficha de dados	RN1109ACT(TPL3).pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)	50V	Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic	150mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor	NPN - Pre-Biased	Embalagem do dispositivo fornecedor	CST3
Série	-	Resistor - Base do Emissor (R2)	22 kOhms
Resistor - Base (R1)	47 kOhms	Power - Max	100mW
Embalagem	Tape & Reel (TR)	Caixa / Gabinete	SC-101, SOT-883
Outros nomes	RN1109ACT(TPL3)TR	Tipo de montagem	Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	1 (Unlimited)	Status sem chumbo / status de RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Descrição detalhada	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3	DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce	70 @ 10mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)	500nA	Atual - Collector (Ic) (Max)	80mA

Tipo de transporte
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