RN2709JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Resumo do Produto

Modelo do Produto:	RN2709JE(TE85L,F)
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição do Produto	TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Fichas de dados:	RN2709JE(TE85L,F).pdf
Estado de RoHS	Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição de estoque	727865 pcs stock
Navio De	Hong Kong
Caminho de embarque	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificações do RN2709JE(TE85L,F)

Modelo do Produto	RN2709JE(TE85L,F)	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição	TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV	Status sem chumbo / Status RoHS	Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível	727865 pcs	Ficha de dados	RN2709JE(TE85L,F).pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)	50V	Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor	2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)	Embalagem do dispositivo fornecedor	ESV
Série	-	Resistor - Base do Emissor (R2)	22 kOhms
Resistor - Base (R1)	47 kOhms	Power - Max	100mW
Embalagem	Tape & Reel (TR)	Caixa / Gabinete	SOT-553
Outros nomes	RN2709JE(TE85LF)TR	Tipo de montagem	Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	1 (Unlimited)	Status sem chumbo / status de RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição	200MHz	Descrição detalhada	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce	70 @ 10mA, 5V	Atual - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max)	100mA

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