TPH1R005PL,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

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Resumo do Produto

Modelo do Produto:	TPH1R005PL,L1Q
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição do Produto	MOSFET N-CH 45V 150A
Fichas de dados:	TPH1R005PL,L1Q.pdf
Estado de RoHS	Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição de estoque	66721 pcs stock
Navio De	Hong Kong
Caminho de embarque	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 66721 pcs

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Especificações do TPH1R005PL,L1Q

Modelo do Produto	TPH1R005PL,L1Q	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição	MOSFET N-CH 45V 150A	Status sem chumbo / Status RoHS	Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível	66721 pcs	Ficha de dados	TPH1R005PL,L1Q.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.4V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Embalagem do dispositivo fornecedor	8-SOP Advance (5x5)
Série	U-MOSIX-H	RDS ON (Max) @ Id, VGS	1.04 mOhm @ 50A, 10V
Dissipação de energia (Max)	960mW (Ta), 170W (Tc)	Embalagem	Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete	8-PowerVDFN	Outros nomes	TPH1R005PL,L1Q(M TPH1R005PLL1QTR
Temperatura de operação	175°C (TJ)	Tipo de montagem	Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	1 (Unlimited)	Status sem chumbo / status de RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	9600pF @ 22.5V	Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs	99nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica FET	-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)	4.5V, 10V	Escorra a tensão de fonte (Vdss)	45V
Descrição detalhada	N-Channel 45V 150A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)	Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C	150A (Tc)

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