EMB11T2R

LAPIS Semiconductor

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Resumo do Produto

Modelo do Produto:	EMB11T2R
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrição do Produto	TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Fichas de dados:	1.EMB11T2R.pdf 2.EMB11T2R.pdf
Estado de RoHS	Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição de estoque	565735 pcs stock
Navio De	Hong Kong
Caminho de embarque	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 565735 pcs

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Especificações do EMB11T2R

Modelo do Produto	EMB11T2R	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descrição	TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6	Status sem chumbo / Status RoHS	Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível	565735 pcs	Ficha de dados	1.EMB11T2R.pdf 2.EMB11T2R.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)	50V	Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor	2 PNP - Pre-Biased (Dual)	Embalagem do dispositivo fornecedor	EMT6
Série	-	Resistor - Base do Emissor (R2)	10 kOhms
Resistor - Base (R1)	10 kOhms	Power - Max	150mW
Embalagem	Tape & Reel (TR)	Caixa / Gabinete	SOT-563, SOT-666
Outros nomes	EMB11T2R-ND EMB11T2RTR	Tipo de montagem	Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	1 (Unlimited)	Tempo de entrega padrão do fabricante	10 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Frequência - Transição	250MHz
Descrição detalhada	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6	DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce	20 @ 5mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)	500nA	Atual - Collector (Ic) (Max)	100mA
Número da peça base	MB11

Tipo de transporte
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