RSH090N03TB1

LAPIS Semiconductor

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Resumo do Produto

Modelo do Produto:	RSH090N03TB1
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrição do Produto	MOSFET N-CH 30V 9A SOP8
Fichas de dados:	RSH090N03TB1.pdf
Estado de RoHS	Sem chumbo / acordo com RoHS
Condição de estoque	117945 pcs stock
Navio De	Hong Kong
Caminho de embarque	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificações do RSH090N03TB1

Modelo do Produto	RSH090N03TB1	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descrição	MOSFET N-CH 30V 9A SOP8	Status sem chumbo / Status RoHS	Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade Disponível	117945 pcs	Ficha de dados	RSH090N03TB1.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Embalagem do dispositivo fornecedor	8-SOP
Série	-	RDS ON (Max) @ Id, VGS	16 mOhm @ 9A, 10V
Dissipação de energia (Max)	2W (Ta)	Embalagem	Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Outros nomes	RSH090N03TB1CT
Temperatura de operação	-	Tipo de montagem	Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	1 (Unlimited)	Status sem chumbo / status de RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	810pF @ 10V	Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 5V
Tipo FET	N-Channel	Característica FET	-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)	4V, 10V	Escorra a tensão de fonte (Vdss)	30V
Descrição detalhada	N-Channel 30V 9A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP	Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C	9A (Ta)

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